Tuần trước, Samsung đã tổ chức Foundry Forum hàng năm tại Hoa Kỳ. Và tại sự kiện này, Samsung đã chia sẻ về lộ trình để sản xuất chip quy trình 7 nm Low Power Plus, 5 nm Low Power Early và 3 nm Gate-All-Around Early / Plus.
Quy trình chip 7 nm sẽ là lần đầu tiên Samsung sử dụng giải pháp in mạch bằng tia siêu cực tím (Extreme Ultraviolet - EUV), nó dự kiến bắt đầu sản xuất vào cuối năm nay, và sản xuất hàng loạt từ nửa đầu năm 2019.
Được biết, vào đầu năm sau đối thủ TSMC cũng bắt đầu sản xuất hàng loạt vi xử lý 7 nm (cũng sử dụng giải pháp in mạch EUV), và sau đó là nghiên cứu sản xuất chip quy trình 5 nm.
Vi xử lý LPE 5 nm của Samsung sẽ có mức tiêu thụ điện năng cực thấp, tiếp theo là vi xử lý 4 nm Low Power Early, nó có hiệu năng được cải tiến cùng kích thước nhỏ hơn. Cả 2 sẽ được sản xuất vào năm 2019 và 2020.
Đầu năm nay, cũng đã có các nguồn tin cho biết Samsung sẽ sản xuất chip Snapdragon 855 trên quy trình 7 nm, nó được cho là để tích hợp trên Galaxy S10 vào năm tới.
Cuối cùng là chip 3 nm, Samsung sẽ sử dụng kiến trúc GAA (Gate-All-Around) MBCFET. Dự kiến vi xử lý này sẽ bắt đầu sản xuất từ năm 2022. Hãy nhớ rằng kích thước của chip mới cũng nhỏ hơn, mạnh mẽ hơn và tiết kiệm năng lượng hơn.
Nguồn Phonearena
Tech Funny
