Apple có thể phát hành điện thoại thế hệ mới với phiên bản bộ nhớ trong cao gấp đôi so với iPhone 6s Plus, nhưng thiết kế mỏng gọn hơn.
Trang MacRumors đã đăng ảnh được cho là chip nhớ NAND sẽ tích hợp trên iPhone 7 Plus. Linh kiện này do SanDisk sản xuất, có dung lượng lên đến 256 GB. Trước đó, ngoài SanDisk, Apple từng dùng chip nhớ của Samsung, SK Hynix và Toshiba trên các mẫu iPhone 5, iPhone 6 hay 6 Plus.
Bộ nhớ thế hệ mới do SanDisk sản xuất có khả năng lưu trữ 256 GB, cao gấp đôi so với bản iPhone cao nhất hiện nay là 128 GB. Đáng chú ý, linh kiện này có kích thước nhỏ hơn cả chip nhớ 64 GB, điều này phù hợp với thông tin cho rằng iPhone 7 mỏng chỉ 6,1 mm nhưng tăng dung lượng pin lên 3.100 mAh.
Ảnh được cho là chip nhớ 256 GB dùng trên iPhone 7 (hình trên) so với bộ nhớ 64 GB (dưới).
Chưa có thông tin về việc Apple có bỏ lựa chọn bộ nhớ 16 GB cho iPhone 7 hay không. Trên thế hệ iPhone 6s hiện nay, hãng mang đến cho người dùng ba tùy chọn dung lượng là 16, 64 và 128 GB. Trong khi đó, nhiều đối thủ Android đã loại bộ nhớ 16 GB trên các smartphone cao cấp, chỉ bắt đầu từ 32 GB.
iPhone đời 2016 được cho là có camera kép ở mặt lưng, thiết kế cụm máy ảnh lớn hơn so với iPhone 6s và tiếp tục lồi. Ảnh rò rỉ về thiết bị cho thấy máy đưa dải nhựa ăng-ten lên sát hai cạnh, giúp sản phẩm trông liền mạch hơn. iPhone 7 sẽ bỏ giắc tai nghe 3,5 mm để gộp chung vào cổng Lightning.
Apple sẽ tổ chức sự kiện giới thiệu sản phẩm mới vào ngày 21/3 và nhiều khả năng công bố iPhone SE màn hình 4 inch trong chương trình này. Trong khi đó, người dùng chờ đợi iPhone 7 có thể phải đến tháng 9 mới biết thông tin chính thức về sản phẩm
Theo Vnexpress
