LG G5 'ăn đứt' Samsung Galaxy S7 về hiệu năng Galaxy S7 và S7 Edge ra mắt: chống nước tốt, pin dung lượng cao MWC 2016: Cậnh cảnh siêu phẩm Samsung Galaxy S7 vừa ra mắt 10 ốp lưng và case bảo vệ đáng mua ngay cho Galaxy S7 Edge Ồ ạt khuyến mãi Galaxy S7 và S7 Edge

LG G5 'ăn đứt' Samsung Galaxy S7 về hiệu năng Galaxy S7 và S7 Edge ra mắt: chống nước tốt, pin dung lượng cao MWC 2016: Cậnh cảnh siêu phẩm Samsung Galaxy S7 vừa ra mắt 10 ốp lưng và case bảo vệ đáng mua ngay cho Galaxy S7 Edge Ồ ạt khuyến mãi Galaxy S7 và S7 Edge

Như PC World Vietnam từng đưa tin, tại MWC 2016, hai hãng điện thoại Hàn Quốc Samsung và LG đã đồng loạt ra mắt mẫu smartphone chủ lực trong năm 2016 là Galaxy S7/S7 Edge và LG G5.

Tuy cùng hỗ trợ công nghệ sạc nhanh , song nếu như LG G5 tiên phong với công nghệ sạc nhanh QuickCharge 3.0 của Qualcomm, thì Samsung chỉ dừng lại ở chuẩn QuickCharge 2.0.

Bảng so sánh cấu hình LG G5 và Galaxy S7.

Theo Qualcomm, tốc độ sạc của Quick Charge 3.0 nhanh hơn đến 38% so với QuickCharge 2.0, nhanh hơn gấp đôi so với Quick Charge 1.0 và nếu so với các củ sạc truyền thống thì công nghệ này nhanh hơn tới 85%. Không chỉ sạc nhanh hơn, Qualcomm còn khẳng định Quick Charge 3.0 cũng rất tiết kiệm năng lượng nhờ ứng dụng công nghệ INOV (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage), vốn cho phép các thiết bị có thể yêu cầu đúng mức điện năng cần sử dụng.

Công nghệ QuickCharge 3.0 mới cũng hỗ trợ đầy đủ các kết nối thông dụng như USB, microUSB và USB Type-C , đồng thời tương thích ngược với các máy chỉ có Quick Charge 2.0 và 1.0. Tuy nhiên để sử dụng tối đa tốc độ của công nghệ sạc nhanh QuickCharge 3.0, ngoài việc củ sạc phải hỗ trợ thì thiết bị của bạn cũng phải được hỗ trợ.

Cũng theo Qualcomm, công nghệ sạc nhanh QuickCharge 3.0 đã được tích hợp trên các chip Snapdragon 820, 620, 618, 617 và 430.

Vậy câu hỏi đặt ra là tại sao Samsung lại tỏ ra thất thế trước LG ở việc trang bị công nghệ sạc nhanh cho hai mẫu flagship của mình?

Giới chuyên gia nhận định rằng, việc Samsung duy trì đến 2 tùy chọn bộ xử lý cho Galaxy S7 cũng như S7 Edge là Snapdragon 820 do Qualcomm sản xuất và Exynos do chính Galaxy S7 sản xuất chính là rào cản lớn nhất để triển khai công nghệ sạc nhanh QuickCharge 3.0.

Cụ thể hơn, có luồng thông tin cho hay chip SoC Exynos 8890 không đáp ứng trọn vẹn các thông số kỹ thuật của QuickCharge 3.0 như Snapdragon và điều này khiến nhà sản xuất Hàn Quốc Samsung phải chọn giải pháp dung hòa là trang bị công nghệ sạc nhanh QuickCharge 2.0.