Trang Androidheadlines mới đây vừa chia sẻ thông tin cho biết, bộ đôi flagship trong năm tới của Samsung là Galaxy S10/ S10+ sẽ sử dụng bộ nhớ RAM LPDDR5 và chuẩn bộ nhớ UFS 3.0, hứa hẹn tăng gấp đôi tốc độ truyền dữ liệu so với thế hệ trước, đồng thời tiêu thụ ít năng lượng hơn.
Cụ thể, thông tin này được một người trong ngành công nghiệp nổi tiếng tại Trung Quốc cho biết ngày hôm nay. Theo nguồn tin này, “gã khổng lồ” công nghệ Hàn Quốc đang chuẩn bị sản xuất hàng loạt cả chip bộ nhớ trong nửa cuối năm nay. Được biết, Samsung đã tích cực theo đuổi dự án RAM LPDDR5 trong hơn một năm nay và công ty cuối cùng đã tăng cường nỗ lực của mình trong lĩnh vực này trong tháng 12 vừa qua.
Thông tin chi tiết về bộ nhớ RAM mới vẫn mơ hồ, nhưng trước đó bộ nhớ RAM DDR5 dành cho PC cải thiện khá nhiều tốc độ truyền dữ liệu đồng thời tiêu thụ năng lượng ít hơn không dưới 15%. Do đó, giải pháp chuẩn RAM DDR5 dành cho di động của Samsung cũng hứa hẹn mang đến hiệu quả tương tự như cho PC.
Về bộ nhớ lưu trữ, Samsung đã thương mại hóa tiêu chuẩn UFS 3.0 vào tháng 2 bằng cách bắt đầu sản xuất chip nhớ 256GB cho di động nhưng công ty vẫn chưa tích hợp nó cho bất kỳ điện thoại nào của hãng. Do đó, nhiều khả năng vào đầu năm sau chúng ta mới thấy chuẩn bộ nhớ này xuất hiện lần đầu tiên trên bộ đôi flagship Galaxy S10 và Galaxy S10+.
Theo báo cáo trước đây, bộ đôi Galaxy S10 và Galaxy S10 Plus dự kiến sẽ ra mắt với một cảm biến vân tay trong màn hình, cũng như một máy ảnh 3D hỗ trợ tính năng nhận diện khuôn mặt tương tự iPhone X và sẽ không có màn hình “tai thỏ” như đối thủ. Bộ đôi flagship này có thể sẽ được công bố vào đầu năm 2019, khoảng thời gian MWC 2019 diễn ra tại Barcelona, Tây Ban Nha và Samsung cũng có thể trang bị cho Galaxy S10/ 10+ modem 5G. Chúng ta hãy cùng chờ xem nhé!
Theo: Androidheadlines
