Về hiệu năng, tốc độ đọc tuần tự và ghi tuần tự đều đạt tối đa 3,2 GB/s, cao hơn so với mức 2,4 GB/s đọc và 2 GB/s ghi của Intel Optane P4800X. Samsung cho biết SZ985 có thể đạt tốc độ đọc ngẫu nhiên 750k IOPS, như vậy là cao 200k IOPS so với dòng ổ Intel Optane SSD DC P4800X. Thế nhưng tốc độ ghi ngẫu nhiên chỉ đạt 170k IOPS. Có một sự chênh lệch lớn ở đây giữa tốc độ đọc và ghi ngẫu nhiên, trong khi P4800X của Intel có mức chênh lệch chỉ 9% thì Samsung SZ985 ghi chậm hơn đọc đến 77%. Samsung cũng so sánh với một số dòng ổ SSD dùng 3D TLC NAND, theo đó tốc độ đọc của cell nhớ trên ổ Z-NAND nhanh hơn gấp 10 lần so với 3D TLC NAND, chẳng hạn như so với ổ PM963 dành cho doanh nghiệp của hãng này thì sự chênh lệch tốc độ đọc đến 70%.
SZ985 được thiết kế đáp ứng cho các tác vụ ghi tập trung với một lượng lớn dữ liệu. Độ bền DWPD đạt 30 lần ghi toàn ổ mỗi ngày, liên tục trong suốt 5 năm. Con số này ngang bằng so với Intel Optane P4800X.
Về phần Z-NAND, Samsung không nói nhiều về công nghệ ổ này, chỉ biết nó là một dạng bộ nhớ dùng MLC NAND nhưng thiết lập theo SLC nhằm mang lại hiệu năng và độ bền tối đa. Chưa rõ Samsung đã tùy biến như thế nào bởi đây cũng chính là bí quyết của gã khổng lồ điện tử Hàn Quốc.