Cụ thể, theo thông tin được chia sẻ từ Ice Universe thì chipset Snapdragon 8150 sẽ sử dụng thiết kế CPU tri-cluster (3 cụm nhân), trong đó gồm 4 lõi Kryo Silver có công suất thấp, với bộ nhớ đệm 128KB L2, chạy ở tốc độ tối đa 1.8 GHz trong một cụm. Tiếp theo là bộ ba Kryo Gold, với bộ nhớ đệm 256KB L2 và có tần số tối đa 2.419 GHz trong một cụm khác. Và cuối cùng là phần lõi Kryo Gold mạnh mẽ với bộ nhớ đệm L2 gấp đôi, ở 512KB và có tốc độ xung nhịp tối đa là 2.842 GHz.
Được biết, ngoài có cấu trúc 3 cụm xử lý mới, Snapdragon 8150 sẽ tích hợp GPU Adreno 640 mới nhất cho hiệu năng đồ họa cao hơn 20% so với thế hệ trước. Và trong các bài thử nghiệm trước đó trên Geekbench thì Snapdragon 8150 đạt hơn 3,200 điểm, trong khi các thử nghiệm đa lõi đạt hơn 11,000 điểm. Những kết quả rất ấn tượng và nó gần như bắt kịp Apple trong cuộc hiệu năng.
Dự kiến sau khi ra mắt vào đầu tháng 12, chip Snapdragon 8150 sẽ sớm xuất hiện trên nhiều mẫu smartphone ra mắt vào đầu năm 2019. Có thể kể đến một số cái tên như Galaxy S10, Mi 9,…
Theo: GSM Arena
Nguồn : http://cdn.fptshop.com.vn/tin-tuc/tin-moi/he-lo-nhung-thong-tin-dau-tien-ve-con-chip-snapdragon-8150-cua-qualcomm-77519
