Theo trang Gizmochina, chip Snapdragon 835 được xây dựng bằng cách sử dụng tiến trình 10nm, có tám lõi Kryo 280 và Hexagon 690. Bốn trong số các lõi này có tốc độ 2.45GHz và bốn lõi còn lại có tốc độ 1.9GHz. Chip mới cũng có tích hợp bộ xử lý đồ hoạ Adreno 540.
Qualcomm cho biết chip của họ cũng được trang bị modem X16 LTE mới có tốc độ tải lên tới 1 gigabit. Ngoài ra, chip Snapdragon 835 cũng có kích thước nhỏ hơn 50% nhưng tiêu thụ điện năng ít hơn tới 60%, được tích hợp sạc nhanh Quick Charge 4.0 có tốc độ sạc nhanh hơn 30% so với Quick Charge 3.0.
Dự kiến chip Snapdragon 835 sẽ chính thức có mặt trong bộ đôi Samsung Galaxy S8 và S8 Plus vào ngày 29 tháng 3 tại New York.