Dòng RAM DDR4 mới này được sản xuất dựa trên công nghệ Through Silicon Via (TSV) giúp cải thiện đáng kể về tốc độ và hiệu suất. TSV cũng cho phép bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên DRAM kết nối với nguồn điện hiệu quả cao hơn.
![SK Hynix phát triển RAM DDR4 dung lượng 128GB]()
Hãng này cho biết thêm RAM DDR4 128GB có thể đạt tốc độ 2.133 Mbps cao hơn 1333 Mbps so với DDR3. Hơn nữa, sản phẩm này sẽ tiêu thụ ít điện năng hơn khi hoạt động trên nguồn điện 1,2 volt, trong khi đàn anh DDR3 được thiết kế để chạy trên nguồn điện 1,35 volt.
Hynix dự định sẽ sản xuất hàng loạt RAM DDR4 dung lượng 128GB vào nửa đầu của năm 2015.
Hãng này cho biết thêm RAM DDR4 128GB có thể đạt tốc độ 2.133 Mbps cao hơn 1333 Mbps so với DDR3. Hơn nữa, sản phẩm này sẽ tiêu thụ ít điện năng hơn khi hoạt động trên nguồn điện 1,2 volt, trong khi đàn anh DDR3 được thiết kế để chạy trên nguồn điện 1,35 volt.
Hynix dự định sẽ sản xuất hàng loạt RAM DDR4 dung lượng 128GB vào nửa đầu của năm 2015.
