Tiến trình này được Samsung gọi là 11LPP (Low Power Plus) được phát triển dựa trên tiến trình 10 nm BEOL (Back End Of Line) nhờ đó những vi xử lý sản xuất ở tiến trình này có thể đạt hiệu năng cao hơn 15% và giảm 10% diện tích chip với cùng mức tiêu thụ điện năng và tính năng như tiến trình 14LPP.
Bên cạnh tiến trình 10 nm FinFET hiện có dành cho các vi xử lý di động cao cấp thì Samsung kỳ vọng tiến trình 11 nm này sẽ đem lại những giá trị khác biệt đối với phân khúc điện thoại trung và cao cấp.
Samsung cũng đã xác nhận rằng hãng đang phát triển tiến trình 7LPP với công nghệ in thạch bản EUV dùng tia siêu cực tím (EUV) và sẽ khởi động sản xuất vào nửa sau năm 2018. Kể từ năm 2014, Samsung đã xử lý gần 200.000 tấm wafer với công nghệ in dùng tia EUV và dựa trên kinh nghiệm của mình, hãng đã đạt được năng suất đến 80% đối với đế SRAM dung lượng 256 Mb.
Theo: Samsung
