Theo thông tin trên trang ETNews tại Hàn Quốc, Samsung sẽ có bước đột phá lớn trong năm tới. Nguồn tin đề cập đến khả năng mẫu điện thoại Galaxy S9 được trang bị bo mạch chủ tiên tiến, dựa trên công nghệ SLP (viết tắt của Substrate Like PCB). SLP cho phép nhà sản xuất đặt nhiều linh kiện hơn trong cùng diện tích bằng cách giảm các mối tiếp xúc lên bảng mạch và xếp chồng nhiều lớp lên nhau.
![Thảm họa Note 7 sẽ không lặp lại nhờ công nghệ bo mạch chủ mới]()
Nhiều chuyên gia cho biết công nghệ này sẽ giúp Samsung đặt gắn viên pin lớn hơn cho các thế hệ Galaxy S tiếp theo mà không làm tăng kích thước máy. Tuy nhiên, ETNews hé lộ SLP chỉ có thể sử dụng cho các thiết bị sử dụng bộ vi xử lý Exynos, các chip Snapdragon của Qualcomm sẽ không tương thích do vẫn dùng công nghệ HDI.
Trước đây, cùng một mẫu máy, Samsung tạo ra phiên bản bộ vi xử lý Exynos và Qualcomm để phục vụ cho thị trường trong và ngoài nước. Nếu điều tương tự xảy ra, mẫu Galaxy S9 với bo mạch chủ SLP sẽ có lượng pin lớn hơn hoặc thiết bị sử dụng chip Snapdragon sẽ phải tăng kích cỡ máy để mang cùng dung lượng.
![]()
Công nghệ xếp chồng các lớp linh kiện cho phép thiết kế pin hình chữ L (hình giữa), có thể cũng sẽ xuất hiện trên mẫu iPhone 8 vào cuối năm nay.
Thông tin mới nhất gợi nhớ tới sự cố Galaxy Note 7 hồi năm ngoái, khi Samsung cố gắng đặt viên pin vào khung máy quá hẹp và gây nên hậu quả nghiêm trọng (hãng đã tân trang máy với viên pin nhỏ hơn, mang tên gọi mới Galaxy Note FE).
Hoàng Phương
Theo Đời sống & Pháp lý
Nhiều chuyên gia cho biết công nghệ này sẽ giúp Samsung đặt gắn viên pin lớn hơn cho các thế hệ Galaxy S tiếp theo mà không làm tăng kích thước máy. Tuy nhiên, ETNews hé lộ SLP chỉ có thể sử dụng cho các thiết bị sử dụng bộ vi xử lý Exynos, các chip Snapdragon của Qualcomm sẽ không tương thích do vẫn dùng công nghệ HDI.
Trước đây, cùng một mẫu máy, Samsung tạo ra phiên bản bộ vi xử lý Exynos và Qualcomm để phục vụ cho thị trường trong và ngoài nước. Nếu điều tương tự xảy ra, mẫu Galaxy S9 với bo mạch chủ SLP sẽ có lượng pin lớn hơn hoặc thiết bị sử dụng chip Snapdragon sẽ phải tăng kích cỡ máy để mang cùng dung lượng.
Công nghệ xếp chồng các lớp linh kiện cho phép thiết kế pin hình chữ L (hình giữa), có thể cũng sẽ xuất hiện trên mẫu iPhone 8 vào cuối năm nay.
Thông tin mới nhất gợi nhớ tới sự cố Galaxy Note 7 hồi năm ngoái, khi Samsung cố gắng đặt viên pin vào khung máy quá hẹp và gây nên hậu quả nghiêm trọng (hãng đã tân trang máy với viên pin nhỏ hơn, mang tên gọi mới Galaxy Note FE).
Hoàng Phương
Theo Đời sống & Pháp lý
