Chỉ mới ra mắt được vài ngày nhưng OnePlus 5 liên tục làm nóng các mặt báo bằng những vấn đề xung quanh, mà đặc biệt là vụ gian lận điểm hiệu năng benchmark vừa được phát hiện gần đây.
Cụ thể, OnePlus 5 bị XDA-Developers cáo buộc “lừa đảo” bằng cách giữ các lõi xử lí nhỏ hoạt động ở tần suất cao trong thời gian dài, cho tốc độ xử lí lên đến 1.9GHz, đưa điểm số benchmark của nó vượt xa các mẫu smartphone mạnh mẽ nhất hiện nay như Samsung Galaxy S8 hay Pixel XL. Lý do này được coi là lừa dối bởi vì một chiếc điện thoại sẽ không hoạt động theo cách này trong quá trình sử dụng bình thường.
Nhà đồng sáng lập Carl Pei của OnePlus đã giải quyết vấn đề này bằng cách nói rõ rằng cấu hình trên thực sự được sử dụng khi người dùng sử dụng các trò chơi chiếm nhiều tài nguyên và cũng sẽ khởi động tại thời điểm khởi chạy ứng dụng để giảm thời gian tải. Công ty không cố tình ép xung thiết bị, họ chỉ muốn cho thấy tiềm năng thật sự của sản phẩm. Tuy nhiên các chuyên gia cho rằng, ép xung lõi nhỏ trong vi xử lý không thể mô phỏng chính xác quá trình sử dụng thiết bị hàng ngày.
Mới đây, Tim Murray- kĩ sư phần mềm của Google và là nhân viên hàng đầu về hiệu suất của Android đã nói lên nhận định của mình về vấn đề này. Ông Murray đặc biệt chú ý đến vấn đề gia tăng tần suất, đồng thời cũng nhấn mạnh nhiều lần với các nhà sản xuất thiết bị Android về cách thức tiêu cực này. Mối quan tâm chính của ông là cách làm trên có thể gây nguy hiểm đến tuổi thọ pin, đồng thời gây ra nhiều mối đe dọa cho người dùng bởi điện thoại sẽ nóng lên nhanh chóng.
Đây không phải là lần đầu tiên OnePLus gian lận điểm hiệu năng. Trước đó trong bê bối OnePlus 3 và 3T, OnePlus đã nhận sai và hứa sẽ khắc phục. Nhưng trong lần này, OnePlus lại làm ngược lại, đứng ra bảo vệ cơ chế gian lận của chính mình bằng những lí do không hề thuyết phục.
![[Windows 10] Hãy dùng bộ GoTiengViet để tránh các lỗi chậm, giật khi gõ nhanh](http://cdn.trangcongnghe.vn/thumb/160x240/2017-10/thumbs/windows-10-hay-dung-bo-gotiengviet-de-tranh-cac-loi-cham-giat-khi-go-nhanh_1.jpg)
