Intel dường như đã hụt hơi trong cuộc đua chip xử lý dành cho thiết bị di động và bây giờ, Samsung đang ngày càng chứng tỏ công nghệ chip di động vượt trội của mình.
Trang GSMArena vừa cho biết chip Snapdragon 835 và Exynos 8895 được chế tạo trên nền tảng 10nm LPE (Low Power Early), tuy nhiên chúng ta sẽ sớm thấy thế hệ thứ hai của nền tảng này được gọi là 10nm LPP (Low Power Plus) với các cải tiến cho cấu trúc FinFET 3D.
Nền tảng mới này sẽ giúp gia tăng hiệu suất lên tới 10% hoặc giảm 15% điện năng tiêu thụ. Công nghệ 10nm LPP này cũng sẽ được sử dụng cho phiên bản làm mới của cả chip Snapdragon và Exynos.
Một ví dụ khá rõ về sự khác nhau của công nghệ LPE sang LPP là Galaxy S6 và S7 – chip Exynos 7420 (Galaxy S6) được xây dựng trên LPN 14nm trong khi Exynos 8890 (Galaxy S7) nâng cấp lên LPP 14nm. Nó giúp cho hai sản phẩm này có sự cải tiến khá đáng kể.
Samsung đang lắp đặt thiết bị chế tạo dòng chip mới tại dây chuyền sản xuất mới nhất của mình ở tỉnh Hwaseong, Hàn Quốc, những sản phẩm trang bị nền tảng này sẽ sẵn sàng có mặt vào quý cuối năm nay.
Biên tập bởi Nguyễn Hà Nam
